TSM680P06CH X0G
制造商产品编号:

TSM680P06CH X0G

Product Overview

制造商:

Taiwan Semiconductor Corporation

零件编号:

TSM680P06CH X0G-DG

描述:

MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO251
详细描述:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

库存:

8799 件 新原装 现货
12899931
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

TSM680P06CH X0G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Taiwan Semiconductor
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
18A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
20W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-251 (IPAK)
包装 / 外壳
TO-251-3 Stub Leads, IPak
基本产品编号
TSM680

数据表和文档

附加信息

标准套餐
75
其他名称
TSM680P06CHX0G
TSM680P06CH X0G-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
diodes

DMT6016LFDF-7

MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

taiwan-semiconductor

TSM500P02CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM280NB06LCR RLG

MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN

texas-instruments

TPS1100PW

MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP